来自 恒峰娱乐论坛 2017-06-02 14:40 的文章

集成电路器件电子学

本书系统介绍集成电路器件电子学,其内容可分为两部分:第一部分是学习半导体器件必需的知识,包括半导体物理和工艺的基本知识,以及金属-半导体接触和pn结理论;第二部分系统深入地阐述了双极晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理和特性。书中每章有大量的习题,供读者加深理解所学的知识。

本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生相应课程的教科书或参考书,也可供在相建筑工程关领域工作的专业技术人员参考。

集成电路的发明到现在已经有四十多年,目前进入了一个令人振奋但又具有挑战性的阶段。器件的不断缩小似乎已经逼近与结构和材料本身有关的基本极限。

为了了解集成电路的发展,并为这个领域作出贡献,我们需要了解基本的物理原理,并探索其应用领域。

本书是和Mansun Chan编写的《集成电路器件电子学》的第三版。本书力图将例题与实际中丰空斗墙富多彩的集成电路联系起来。这一独特的方式,即对电学特性的讨论与实际应用的介绍交替进行,有助于读者从整体上了解集成电路,同时也与先进器件模型的发展联系了起来。

半导体电学特性1.1 半导体材料物理1.1 固体的能带模型1.2 空穴1.3 成键模型1.4 施主和受主1.5 热平衡统计1.2 半导体中的自由载流子1.1 漂移速度1.2 迁移率和散射1.3 扩散电流1.3 器件:霍尔效应磁传感器1.1 霍尔林荫大道效应的物理机制1.2 集成霍尔效应磁传感器小结参考文献参考书习题第2章硅平面工艺2.2 晶体生长2.3 热氧化氧化动力学2.4 光刻和图形转移2.5 掺杂和扩散2.1 离子注入2.2化学气相淀积2.1 外延2.2 非外延薄膜2.7 互连和封装2.1 互连2.2 测试和封装2.3化合物半导体工艺2.9 数值模拟2.1 模拟的基本概念2.2 网格2.3 工艺模型2.4 器件模拟2.5 模拟面临的挑战2.10 器件:集成电路中的电阻小结参气温年较差考文献参考书习题第3章 金属

半导体接触3.1 电子系统中的平衡3.2 理想的金属半导体结3.1 能带图3.2 电荷、耗尽区和电容3.3 电流

电压特性3.1 Schottky势垒3.2 Mott势垒3.4 非整流(欧姆)接触3.1 隧道接触3.2 Schottky欧姆接触3.5 表面效应3.1 表面态3.2 金属半导体接触的表面效应3.6 金属

半导体器件:Schottky二极管小结参考文献参考书习题第4章缓变杂质分建筑设备系统布4.2 pn结4.1 突变结4.2 线性缓变结4.3反偏pn结4.4 结的击穿4.1 雪崩击穿4.2 Zener击穿4.5 器件:结型场效应晶体管4.1 pn结场效应晶体管(JFET)4.2 金属

半导体场效应晶体管(MESFET)小结参考文献参考书习题第5章 pn结中的电流5.1 连续性方程5.2 产生与复合5.1 局域态:俘获和发射5.2 ShockleylRead复合5.3 过剩载流子寿命5.3 pn结电流电压特性5.